近日，我院韓肖清教授領銜的電力系統運行與控制山西省重點實驗室撰寫的學術長文《Stability Analysis and Improvement forSSCB with Single-gate Controlled Series-connected SiC MOSFETs》被IEEE協會旗下電氣電子領域頂級期刊IEEE Transactions on Industrial Electronics（中科院一區TOP，IF=7.515）接收并在線發表（EarlyAccess），該文第一作者為任宇副教授，通訊作者為韓肖清教授，伟德 官网為第一完成單位，西安交通大學為合作單位。
直流斷路器在保障直流系統安全可靠運行方面起着至關重要的作用。與機械斷路器相比，基于半導體器件的固态斷路器在短路分斷速度，裝置緊湊性方面具有明顯的優勢。該論文揭示了碳化矽MOSFET器件串聯單驅動控制方式應用于固态直流斷路器的穩定性問題。文章通過小信号模型建立及穩定性判據分析對單驅動控制器件串聯式在短路電流分斷過程中的驅動震蕩機理進行研究，并提出了穩定性提升方法。文章建立了1.7kV，72A固态斷路器原型樣機，在170微亨的直流電感下能夠可靠分斷100A短路電流，且在短路電流分斷過程中實現串聯器件的動态電壓均衡。該論文成果有望簡化固态直流斷路器驅動結構，降低直流系統成本。
相關研究得到山西省高等學校科技創新項目資助（項目批準号：2019L0154），山西省回國留學人員科研資助項目（項目批準号：HGKY2019019），山西省應用基礎研究計劃（項目批準号：201901D211042）等項目的資助。
論文鍊接：https://ieeexplore.ieee.org/document/9177327
